NVM60R080P 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽栅极工艺，具备低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩耐量特性，适用于60V以内的中低压功率变换场景，支持高频开关与大电流应用，封装为TO‑252(D‑PAK)，便于PCB布局与散热设计。器件无铅、符合RoHS及REACH环保标准，可满足工业、消费电子及汽车非安全关键领域的应用需求。